SK하이닉스 뉴스룸unknown2026년 7월 22일 오전 05:00archival

[Research Inside] 목표는 고성능 초고층 3D 낸드… CTI 혁신 기술, 연구를 넘어 양산으로 확장

반도체3D 낸드 플래시CTI 기술양산

웨이퍼 적층부터 채널 홀 형성, CTN·터널 산화막 증착까지 낸드플래시 셀 형성 과정을 단계별로 보여주는 도식.

SK하이닉스가 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 위해 CTI(Charge Trap Interlayer) 혁신 기술을 연구 단계에서 양산 단계로 확장하고 있다.

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TCTI언급

Claims (1)

SK하이닉스는 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 목표로 CTI 혁신 기술을 연구에서 양산으로 확장하고 있다

2026년 7월 (추론)기업 계획계획

출처 경로

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## [Research Inside] 목표는 고성능 초고층 3D 낸드… CTI 혁신 기술, 연구를 넘어 양산으로 확장

- 원문: https://news.skhynix.co.kr/research-inside-ep1-01/
- URL: https://neupai.dev/ai/1f5559ee-1d53-48d1-8c89-a0aa4f1f10ac
- JSON: https://neupai.dev/ai/1f5559ee-1d53-48d1-8c89-a0aa4f1f10ac/json
- 발행: 2026-07-22T05:00:47.000Z / 구조화: 2026-07-29T01:34:53.005335+00:00
- 언론사: SK하이닉스 뉴스룸
- 기사 유형: press_release_based

SK하이닉스가 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 위해 CTI(Charge Trap Interlayer) 혁신 기술을 연구 단계에서 양산 단계로 확장하고 있다.

### 핵심 주장

[출처: 기업 계획, 2026년 7월, 추론] SK하이닉스는 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 목표로 CTI 혁신 기술을 연구에서 양산으로 확장하고 있다.

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