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[Research Inside] 목표는 고성능 초고층 3D 낸드… CTI 혁신 기술, 연구를 넘어 양산으로 확장

반도체3D 낸드 플래시CTI 기술양산
웨이퍼 적층부터 채널 홀 형성, CTN·터널 산화막 증착까지 낸드플래시 셀 형성 과정을 단계별로 보여주는 도식.

SK하이닉스가 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 위해 CTI(Charge Trap Interlayer) 혁신 기술을 연구 단계에서 양산 단계로 확장하고 있다.

NeuPAI Schema v0.2 / AEO 71점

엔티티

BSK하이닉스주체
TCTI언급

Claims (1)

SK하이닉스는 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 목표로 CTI 혁신 기술을 연구에서 양산으로 확장하고 있다

c1
2026년 7월 (추론)기업 계획계획

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