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[Research Inside] 목표는 고성능 초고층 3D 낸드… CTI 혁신 기술, 연구를 넘어 양산으로 확장

반도체3D 낸드CTI 기술양산
신규 CTI(Charge Trap Nitride Isolation) 기술을 소개하는 슬라이드 이미지.

SK하이닉스가 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 목표로 CTI(Charge Trap Interface) 혁신 기술을 연구 단계에서 양산 단계로 확장하고 있다.

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엔티티

BSK하이닉스주체
TCTI언급

Claims (1)

SK하이닉스는 고성능 초고층 3D 낸드 플래시 개발을 목표로 CTI 혁신 기술을 연구 단계에서 양산 단계로 확장하고 있다

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2026년 7월 (추론)기업 계획계획

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