SK하이닉스 뉴스룸SK하이닉스2026년 6월 8일 오전 05:00recent

[미래인재 CLASS 제1강] "HBM의 진화는 계속된다" TSV · MR-MUF 그다음 경쟁력은?

반도체메모리HBMAI기술

SK하이닉스 대학생 앰버서더와 고려대 신창환 교수가 만나 HBM의 핵심 기술인 TSV, MR-MUF와 하이브리드 본딩 등 차세대 기술의 미래 경쟁력을 논의했다.

NeuPAI Schema v0.2 / AEO 72점

엔티티

BSK하이닉스주체

P신창환인용

O고려대학교언급

P차승민언급

P유동현언급

P김대현언급

P곽정은언급

SK하이닉스가 HBM을 세계 최초로 개발한 것은 2013년이다

2013년공식 발표사실

비행기는 줄을 서서 20분을 기다려야 500여 명이 탑승한다

2026년 6월 (추론)기자 분석사실

지하철은 30초 이내에 수천 명이 승하차한다

2026년 6월 (추론)기자 분석사실

HBM3E까지 I/O는 1,024개였다

2026년 6월 (추론)공식 발표사실

HBM4에서 I/O는 2,048개로 두 배 늘었다

2026년 6월 (추론)공식 발표사실vs previous_generation

HBM4E부터 10나노미터급 6세대(1c) D램이 적용될 것이다

2026년 6월 (추론)기업 계획계획

메모리가 연산의 중심이 되는 구조로 컴퓨팅 패러다임이 바뀔 것이다

2026년 6월 (추론)업계 추정의견

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