{"@context":"https://neupai.io/schema/v0.2","@type":"StructuredNewsArticle","identity":{"article_id":"skhynixnews_20260722_research-inside-ep1-cti-176layer-3dnand","canonical_url":"https://news.skhynix.co.kr/research-inside-ep1/","ai_url":null,"publisher":{"name":"SK하이닉스 뉴스룸","domain":"news.skhynix.co.kr","type":"online"},"author":"SK하이닉스","published_at":"2026-07-22T04:59:25.000Z","updated_at":null,"language":"ko","article_type":"feature","originality":"self_produced"},"content":{"headline":"[Research Inside] 목표는 고성능 초고층 3D 낸드… CTI 혁신 기술, 연구를 넘어 양산으로 확장","summary":"SK하이닉스는 176단 3D 낸드플래시에 신규 CTI(Charge Trap Nitride Isolation) 기술을 세계 최초로 양산 적용해 셀 간섭을 30% 이상 줄이고 데이터 보존 능력을 45% 이상 향상시켰다. 이 연구 성과는 2025 IEDM에 발표됐으며, 진상완 TL이 관련 연구를 주도했다.","topics":["반도체","낸드플래시","메모리기술","R&D"],"geography":["KR"],"entities":[{"name":"SK하이닉스","canonical_id":"corp:kr:sk-hynix","type":"company","role_in_article":"primary_subject","metadata":{"ticker":"000660.KS","parent":null}},{"name":"진상완","canonical_id":"person:kr:jin-sang-wan","type":"person","role_in_article":"quoted","metadata":{"ticker":null,"parent":null}},{"name":"IEEE International Electron Devices Meeting","canonical_id":"org:us:ieee-iedm","type":"organization","role_in_article":"source","metadata":{"ticker":null,"parent":null}}],"claims":[{"id":"c1","statement":"SK하이닉스는 세계 최초로 양산형 176단 낸드에 CTI 구조를 성공적으로 적용해, 셀 간섭을 30% 이상 줄였다","as_of":"2025-12","as_of_explicit":false,"as_of_raw":"2025년 12월","source_type":"research_paper","comparison":"existing_cti_baseline","type":"fact","figures":{"value":30,"unit":"%","approximate":false,"converted":null},"expiry_hint":null,"insight":null},{"id":"c2","statement":"SK하이닉스는 세계 최초로 양산형 176단 낸드에 CTI 구조를 성공적으로 적용해 데이터 보존 능력을 45% 이상 끌어올렸다","as_of":"2025-12","as_of_explicit":false,"as_of_raw":"2025년 12월","source_type":"research_paper","comparison":"existing_cti_baseline","type":"fact","figures":{"value":45,"unit":"%","approximate":false,"converted":null},"expiry_hint":null,"insight":null},{"id":"c3","statement":"이 연구는 176단 이상 초고층 3D 낸드 적층 환경에서 미세화 한계를 뛰어넘은 기술을 조명한다","as_of":"2025-12","as_of_explicit":false,"as_of_raw":"2025년 12월","source_type":"research_paper","comparison":null,"type":"fact","figures":{"value":176,"unit":"layers","approximate":false,"converted":null},"expiry_hint":null,"insight":null},{"id":"c4","statement":"이 논문은 2025 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)에서 발행되었다","as_of":"2025","as_of_explicit":true,"as_of_raw":"2025 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)","source_type":"research_paper","comparison":null,"type":"fact","figures":null,"expiry_hint":null,"insight":null},{"id":"c5","statement":"이 셀을 100단, 200단, 300단 등으로 층층이 쌓은 것이 3D 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