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기술 한계 극복 위해선, 메모리와 로직 통합 필요"… SK하이닉스, TSMC 심포지엄서 비전 제시

반도체AI메모리HBM기술협력

SK하이닉스가 TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026에서 메모리 병목 현상 해결을 위해 메모리와 로직 기술 통합의 필요성을 강조하며, HBM4부터 TSMC 로직 공정을 베이스다이에 도입하는 전략을 발표했다.

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엔티티

BSK하이닉스주체
BTSMC언급
P안현인용
B엔비디아언급

Claims (11)

TSMC가 전 세계 7개 주요 거점 지역에서 개방형 혁신 플랫폼 포럼을 열고 있다

c1
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

TSMC가 3㎚를 넘어 2㎚, A16·A14 공정으로 이어지는 미세 공정 기술의 진전에 집중했다

c2
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

A16은 TSMC가 발표한 차세대 1.6㎚급 공정이다

c3
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

A14는 A16 이후 선보일 예정인 차세대 1.4㎚급 첨단 공정이다

c4
2026년 4월 (추론)기업 계획계획

SK하이닉스가 HBM4부터 베이스다이에 TSMC의 선단 로직 공정을 도입하는 전략적 협업을 공고히 하겠다고 예고했다

c5
2026년 4월 (추론)기업 계획계획

HBM4 48GB 16단 제품이 전시되었다

c6
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

업계 최대 용량을 구현한 256GB 3DS RDIMM을 전시했다

c7
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

고성능 연산 환경에 최적화된 128GB MRDIMM을 전시했다

c8
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

세계 최초로 1c㎚ 공정을 적용해 전력 효율을 극대화한 64GB RDIMM을 전시했다

c9
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

새로운 폼팩터로 저전력 고성능을 실현한 192GB SOCAMM2를 AI 서버에 특화된 차세대 솔루션으로 선보였다

c10
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

HBM3E 12단이 엔비디아 GB300 내부에 탑재되었다

c11
2026년 4월 (추론)공식 발표사실

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