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삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 비전 제시
반도체메모리AI삼성전자기술 발표
삼성전자가 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 최초로 공개했다. 또한 400단 이상의 V10 BV-NAND를 선보이며 차세대 AI 메모리 기술 리더십을 강화하겠다고 밝혔다.
NeuPAI Schema v0.2 / AEO 83점
엔티티
B삼성전자주체
P이진엽인용
P김경륜인용
TzHBM언급
TzNAND-O언급
TV10 BV-NAND언급
THBM4언급
THBM4E언급
THBM5언급
TLPDDR5X-PIM언급
TPM1763언급
TBM1773언급
L미국 캘리포니아주 산타클라라언급
Claims (14)
삼성전자가 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업을 업계 최초로 공개했다
c1FMS 2026 (추론)공식 발표사실
삼성전자가 FMS 2026에서 약 20평 규모의 최대 전시 공간을 마련했다
c2FMS 2026 (추론)공식 발표사실약 20 pyeong
삼성전자가 FMS 2026에서 약 30개 제품을 전시했다
c3FMS 2026 (추론)공식 발표사실약 30 count
이진엽 부사장과 김경륜 상무가 FMS 2026 첫날 기조연설을 진행했다
c48월 4일공식 발표사실
삼성전자가 FMS 2026에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개했다
c5FMS 2026 (추론)공식 발표사실400 layers
zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다
c62026년 (추론)기업 계획추정8 timesvs HBM5
zHBM은 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시킨다
c72026년 (추론)기업 계획추정3 timesvs HBM5
zHBM은 HBM5 대비 열 저항을 절반 이상 낮춘다
c82026년 (추론)기업 계획추정0.5 ratiovs HBM5
zNAND-O는 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다
c92026년 (추론)공식 발표사실4 chips
V10 BV-NAND는 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상시켰다
c102026년 (추론)공식 발표사실약 58 %vs previous_generation
삼성전자가 지난 2월 업계 최초로 HBM4를 양산 출하했다
c11지난 2월공식 발표사실
삼성전자가 5월 업계 최대 성능, 최고 용량의 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급했다
c125월공식 발표사실
삼성전자가 LPDDR5X-PIM을 세계 최초로 개발했다
c132026년 (추론)공식 발표사실
삼성전자가 13년 전 같은 행사에서 세계 최초로 V-NAND 기술을 발표했다
c1413년 전공식 발표사실
출처 경로
press_release → samsung-electronics