[Research Inside] 목표는 고성능 초고층 3D 낸드… CTI 혁신 기술, 연구를 넘어 양산으로 확장

SK하이닉스는 176단 3D 낸드플래시에 신규 CTI(Charge Trap Nitride Isolation) 기술을 세계 최초로 양산 적용해 셀 간섭을 30% 이상 줄이고 데이터 보존 능력을 45% 이상 향상시켰다. 이 연구 성과는 2025 IEDM에 발표됐으며, 진상완 TL이 관련 연구를 주도했다.
엔티티
Claims (11)
SK하이닉스는 세계 최초로 양산형 176단 낸드에 CTI 구조를 성공적으로 적용해, 셀 간섭을 30% 이상 줄였다
c1SK하이닉스는 세계 최초로 양산형 176단 낸드에 CTI 구조를 성공적으로 적용해 데이터 보존 능력을 45% 이상 끌어올렸다
c2이 연구는 176단 이상 초고층 3D 낸드 적층 환경에서 미세화 한계를 뛰어넘은 기술을 조명한다
c3이 논문은 2025 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)에서 발행되었다
c4이 셀을 100단, 200단, 300단 등으로 층층이 쌓은 것이 3D 낸드다
c5연구에서는 176단 전체에서 균일한 특성 분포를 달성했는데, 이로써 기존의 들쭉날쭉한 공정 문제를 해결하고 양산성을 입증했다
c6기존 CTI는 10단 수준에서 테스트하는 정도에 그쳤다
c7문턱전압 왜곡, 전자 이동 오류에 대한 걱정 없이 단위 셀 크기를 10% 이상 줄여 낸드 집적도를 올릴 수 있게 됐다
c8회사는 이 기술이 수직 적층 미세화의 한계를 극복할 '핵심 기술'이 될 것으로 평가하고 있다
c9진상완 TL은 정체된 것으로 생각했던 미세화 기술에 새로운 가능성을 제시할 수 있어 의미 있는 연구였다고 밝혔다
c10진상완 TL은 기존 CTI 연구가 개념 증명 수준에 그쳤다면, 이번 연구는 이를 실제 양산 규모로 확장한 고난도 과제였다고 밝혔다
c11출처 경로
primary_reporting → sk-hynix